摘要
研究了硫氧化细菌的生长特性以及腐蚀后砂浆试样的力学性能和微观结构.结果表明:硫氧化细菌适宜生长在30 ℃,pH值6~7,且硫代硫酸钠质量浓度为10 g/L的环境中,其代谢产物为;砂浆表面的粗糙度与腐蚀程度有关,试验组完全浸没区的粗糙度变化值高于气-液交界面处的粗糙度,形成的生物被膜对砂浆起到了一定的保护作用,对照组气-液交界面处的粗糙度变化值明显低于试验组,说明硫氧化细菌促进了的渗透;120 d时试验组和对照组试样中均检测到了大量板状石膏的存在,且试验组试样中石膏的生成量高于对照组,在75 d后试验组由于大量石膏的膨胀力作用使得砂浆性能最终劣化,硫氧化细菌在一定程度上对砂浆起到了加快腐蚀的作用.
基础设施中微生物腐蚀问题逐渐引发了人们的关注,尤其在污水处理系统、海洋工程等微生物富集区域中较为严
当前,污水管道微生物腐蚀的初步理论为:混凝土微生物腐蚀过程中的主要菌种硫氧化细菌(SOB)通过代谢作用降低了混凝土表面的pH值,当具备足够的水分、营养物质和氧气时SOB可以在混凝土表面繁殖,进而对混凝土管道造成破
水泥采用唐山市丰润区顺鑫水泥有限公司P·O 42.5普通硅酸盐水泥;砂子采用细度模数为2.8的天然河砂;减水剂采用萘系高效减水剂;拌和水为实验室干净自来水.砂浆水灰比为0.33,配合比见
硫氧化细菌的培养基成分如
首先,将高温高压灭菌后的培养基按2%体积分数接种硫氧化细菌后置于不同温度(20、25、30、35 ℃)下震荡培养15 d,选择其适宜的最佳温度.然后在最佳温度下改变初始pH值(4、5、6、7、8)震荡培养15 d,得到其适宜的最佳初始pH值.最后,在此基础上改变反应底物(硫代硫酸钠)质量浓度(5、10、15 g/L),震荡培养15 d,探究其最适宜的反应底物掺量.通过分析硫氧化细菌在不同温度、初始pH值以及反应底物掺量下OD590值(微生物在590 nm波长下的光密度,用以表征微生物浓度)、pH值和质量浓度ρ()的变化,来确定硫氧化细菌最佳的生长条件.
试验设置对照组(DB)和试验组(SB),其中对照组采用灭菌后的培养基浸泡,试验组采用灭菌后加入硫氧化细菌的培养基浸泡.浸泡方式均为半浸,每组龄期设置2块试样,如

图1 砂浆试样浸泡示意图
Fig.1 Schematic diagram for immersion of mortar samples
采用精密pH测试仪测试培养过程中溶液的pH值;菌液经离心机分离出杂质及大分子有机物后取上清液5 mL,通过阴离子色谱仪分析溶液中的质量浓度ρ();取5 mL摇匀的菌液置于比色皿中,采用紫外分光光度计测试 值.
使用普通摄像机记录砂浆表面形貌在不同龄期的变化,然后采用超景深显微镜对砂浆试样不同标记处进行拍照并计算其粗糙
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式中:C为粗糙度变化值;R1、R2分别为腐蚀前、后的粗糙度.
标准养护28 d的砂浆试样在浸泡前称重,记为m1,然后将浸泡至各龄期的试样取出称重,记为质量m2,按下式得到砂浆试样的质量变化率Rm:
(2) |
按照GB/T17671—1999《水泥胶砂强度检测方法》进行抗压强度试验,并计算浸泡后试样的抗压强度变化率Rf:
(3) |
式中:f1为浸泡15 d时试样的抗压强度;f2为浸泡30、45、60、75、90、105、120 d时试样的抗压强度.
将高温高压灭菌后的培养基按2%体积分数接种硫氧化细菌后,分别在不同温度恒温震荡培养箱中培养1个生长周期(15 d).每隔1 d测试溶液的OD590值以及pH值,结果如图

图2 不同温度下硫氧化细菌溶液的OD590值
Fig.2 OD590 of sulfur oxidizing bacteria solution at different temperatures

图3 不同温度下硫氧化细菌溶液的pH值
Fig.3 pH value of sulfur oxidizing bacteria solution at different temperatures

图4 不同温度下硫氧化细菌溶液的质量浓度
Fig.4 () in sulfur oxidizing bacteria solution at different temperatures
由
从
从
采用1 mol/L的稀盐酸和2 mol/L的氢氧化钠分别将培养基初始pH值调至4、5、6、7、8、9,经高温高压灭菌后按2%体积分数接种硫氧化细菌,然后放置在30 ℃恒温震荡培养箱中培养1个生长周期(15 d),每隔1 d测试溶液的OD590值及pH值,结果如图

图 5 不同初始pH值下硫氧化细菌溶液的OD590值
Fig.5 OD590 of sulfur oxidizing bacteria solution under different initial pH values

图6 不同初始pH值下溶液的pH值
Fig.6 pH value of solution under different initial pH values

图7 不同初始pH值下溶液的质量浓度
Fig.7 ρ() in solutions under different initial pH values
由
由
(4) |
SO2微溶于水,因而溶液中的较少,溶液的pH仍为酸性.当培养基初始pH值为6或7时,加入硫氧化细菌后溶液pH值升高至7.5左右;当培养基初始pH值为8时,加入硫氧化细菌后溶液pH值仍保持在8左右.原因是Na2S2O3在中性和碱性环境下发生氧化反
(5) |
从
配制以硫代硫酸钠为反应底物,质量浓度ρ(Na2S2O3)分别为5、10、15 g/L的培养基,经高温高压灭菌后用1 mol/L的稀盐酸调节pH值为6.5,再按2%体积分数接种硫氧化细菌后放置在30 ℃恒温震荡培养箱中培养1个生长周期(15 d),每隔1 d测试溶液的OD590值以及pH值,结果如图

图8 不同反应底物掺量下硫氧化细菌溶液的OD590值
Fig.8 OD590 of sulfur oxidizing bacteria solution with different substrate contents

图9 不同反应底物掺量下溶液的pH值
Fig.9 pH value of solution with different substrate contents
由
从
砂浆试样在不同龄期下浸泡,其外观变化如
砂浆试样的表面粗糙度结果如
DB组气-液交界面处的粗糙度变化幅度不大,也随着龄期的增加而增加,在120 d时粗糙度变化值达到17.2,但与同位置处的SB组相比,粗糙度变化值明显较低,砂浆内部析出的腐蚀产物较少.
由以上结果分析可知,硫氧化细菌在一定程度上起到了加快腐蚀的作用.
砂浆试样的质量变化率见

图 10 砂浆试样的质量变化率
Fig.10 Mass change rate of mortar samples
DB组的质量变化率一直缓慢增长,120 d时质量变化率达0.340%,质量变化率与受到的硫酸盐腐蚀正相关.在30 d前DB组和SB组试样的质量变化率增幅相近,而30 d后SB组由于硫氧化细菌的代谢作用促进了的渗入,内部腐蚀产物不断生成从而填充砂浆内部孔隙,因此SB组试样的质量较DB组试样有了大幅度提升.
砂浆试样的抗压强度及抗压强度变化率分别见图

图11 砂浆试样的抗压强度
Fig.11 Compressive strength of mortar samples

图12 砂浆试样的抗压强度变化率
Fig.12 Change rate of compressive strength of mortar samples
抗压强度的变化趋势基本与质量变化率一致,说明砂浆的性能变化主要受硫酸盐腐蚀的影响.按照微生物腐蚀机理的解释:与砂浆内部的水化产物反应,生成膨胀性产物石膏,在腐蚀前期,由于砂浆试样浸泡时间较短,渗透缓慢,所形成的腐蚀产物较少,对砂浆的质量变化率及抗压强度影响不大;腐蚀中期,的渗透加快,形成的腐蚀产物较多,使得内部结构更加密实,质量增大,抗压强度提高;腐蚀后期,继续形成的腐蚀产物使孔隙逐渐达到饱和并在砂浆表面析出,使表面粗糙度出现变化,且在砂浆内部产生膨胀应力,出现裂缝,最终导致其力学性能下降.
(6) |

图13 120 d时砂浆试样气-液交界面处矿化产物的XRD图谱
Fig.13 XRD spectra of mineralized products at gas‑liquid interface of mortar samples at 120 d
另外由硫氧化细菌的生长特性分析可知,无论是pH值,还是ρ()都明显符合上述石膏生成的有利条件.由

图14 120 d时砂浆试样气-液交界面处TG‑DTG曲线
Fig.14 TG‑DTG curves at gas‑liquid interface of mortar samples at 120 d
综上,石膏、氢氧化钙和碳酸钙的含量均与

图15 120 d时SB组砂浆试样气-液交界面处硫氧化细菌的SEM图
Fig.15 SEM micrographs of SOB on gas‑liquid interfaceof SB group mortar samples at 120 d

图16 120 d时砂浆试样气-液交界面处SEM
Fig.16 SEM micrographs of gas‑liquid interface of mortar samples at 120 d

图17 板状晶体的EDS分析
Fig.17 EDS analysis of plate like crystalline
氧气充足时:
+H2O+2O22+2 | (7) |
氧气不足时:
+O2+S↓ | (8) |
渗透进入砂浆内部与富钙相(氢氧化钙、碳酸钙等)作用生成石膏,如式(
Ca(OH)2+(aq.)CaSO4·2H2O | (9) |
CaCO3+ (aq.)CaSO4·2H2O | (10) |
因此可以证实生成的板状晶体为石膏.
(1)硫氧化细菌最适宜的生长条件为:30 ℃,pH值6~7,硫代硫酸钠质量浓度10 g/L,其代谢产物为.
(2)硫氧化细菌接触部位出现的粗糙度变化以及疏松、酥皮掉渣等情况与腐蚀程度有关,对照组气-液交界面处的粗糙度变化值明显低于试验组,说明硫氧化细菌在一定程度上加快了砂浆的腐蚀.试验组气-液交界面处较完全浸没处更易于形成生物被膜,生物被膜延缓了的侵入,同时对腐蚀产物石膏的析出有一定的限制作用,致使气-液交界面处粗糙度变化值较小.
(3)120 d时试验组和对照组气-液交界面处的XRD图谱、TG‑DTG曲线和SEM‑EDS分析验证了腐蚀产物石膏的存在,且试验组石膏生成量明显高于对照组.结合抗压强度变化率、质量变化率以及微观结构分析表明硫氧化细菌在一定程度上会影响腐蚀介质的传输,对砂浆试样的腐蚀起到了加速的作用.
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