摘要
为分析Fe17Mn5Si10Cr5Ni形状记忆合金(SMA)电阻率与奥氏体(γ)→ε马氏体相变及其逆相变的关系,通过动态电阻测量系统、X射线衍射(XRD)、金相显微镜等,观测拉伸和加热过程中SMA电阻率、物相组成和显微组织的变化.结果表明:在0%~7.0%拉伸应变过程中,SMA电阻率随着拉伸应变的增加而增大;在γ→ε马氏体相变期间,SMA电阻率的增幅变大,且与ε马氏体含量的变化规律保持一致;5.0%拉伸应变的SMA试样在加热及冷却过程中,其电阻率与温度成正相关关系;在γ→ε马氏体逆相变期间,SMA电阻率的增幅随着ε马氏体含量的减少而变小.
形状记忆合金(SMA)是一种具有形状记忆效应的新型结构-功能一体化材料,已经被广泛应用于航空航天、船舶、建筑、汽车和机器人等领
本文选用Fe基SMA中强度高、塑性好、易加工的Fe‑Mn‑Si合
试验所用材料为自行冶炼的Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金,化学组成见

图1 试样示意图
Fig.1 Schematic diagram of sample(size: mm)
通过自制拉伸机,应力诱发试样产生γ→ε马氏体正相变,然后利用SXL‑1008型程控箱式电阻炉,热诱发试样产生γ→ε马氏体逆相变.
金相试样经过镶样、打磨、抛光处理后,首先采用体积比γ(HF)∶γ(H2O2)∶γ(H2O)=3∶50∶10的HF溶液,对抛光试样进行化学抛光,消除因机械打磨抛光导致的表面相变薄层;然后,将1~2滴CuSO4溶液(3 g CuSO4,10 mL HCl,30 mL H2O)滴到已抛光表面,腐蚀10 s左右,当试样表面开始出现灰色斑点时,立即用大量清水清洗;最后,采用酒精棉球擦拭并吹干,通过Olympus gx51型金相显微镜分析Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金的微观组织.
利用日本理学公司生产的Rigaku D/MAX‑3A型XRD分析Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样的相组成.其主要技术参数如下:采用Cu Kα辐射,加速电压为40 kV,电流为150 mA,扫描速率为0.02(°)/s,扫描角度为30°~75°.
动态电阻通过QJ57型直流电阻电桥测量,试验过程中分别利用引伸计和电阻电桥测量试样的应变(s)和电阻(R).电阻测量原理如

图2 拉伸试验中电阻测量方案示意图
Fig.2 Schematic diagram in the resistance measurement of tensile test
Rs可通过
(1) |
为消除试样长度、横截面积变化对导体电阻数值的影响,选用电阻率(ρ)来表征合金材料的电学特
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式中:Ls为试样测量段拉伸应变为s时的长度,m;Ss为试样测量段拉伸应变为s时的横截面积,
当试样拉伸应变为s时,忽略试样在拉伸过程中的微小体积变化.由拉伸前后试样的体积相等,可以得到
(3) |
(4) |
式中:L为试样测量段未拉伸时的长度,m;S为试样测量段未拉伸时的横截面积,
根据式(
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本文根据前期试验,在满足理论分析的前提下选用拉伸应变范围为0%~7.0%.在室温环境下对Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样进行拉伸,其应力-应变曲线如

图3 Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金的应力-应变曲线
Fig.3 Stress‑strain curve of Fe17Mn5Si10Cr5Ni
如

图4 应力诱发γ→ε马氏体相变机制示意图
Fig.4 Schematic illustration of stress‑induced γ→ε martensite phase transformation mechanisms
为分析试样在拉伸(应力诱发γ→ε马氏体相变)过程中的相变特性,对试样不同拉伸阶段进行物相测试.为简化试验,连续地选择0%、1.0%、3.0%、5.0%和7.0%拉伸应变试样进行XRD测试,结果如

图5 不同拉伸应变Fe17Mn5Si10Cr5Ni记忆合金的XRD图谱
Fig.5 XRD patterns of Fe17Mn5Si10Cr5Ni under different tensile strains
为更直观地分析不同拉伸应变试样的物相组成,本文采用直接比较
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式中:K为与衍射物质种类及含量无关的常数;R为与衍射角2θ、晶面指数及待测物质种类有关的比例常数;V为X射线照射的被测物质的体积,
设 分别为γ、ε和α′相的体积分数,分别为γ、ε和α′相的比例常数,则:
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由
由
(1)当拉伸应变从0%增加到5.0%时,(111)γ、(200)γ及(220)γ相的衍射峰面积不断减小,γ相的体积分数不断降低(100.0%→53.5%→31.7%→26.6%);(100)ε相的衍射峰面积不断增加,ε相的体积分数不断提高(0%→46.5%→68.3%→73.4%);该拉伸应变范围内,α′相含量一直为0%.
(2)当拉伸应变从5.0%增加到7.0%时,(100)ε相的衍射峰面积基本不变,体积分数也维持在73.4%;γ相衍射峰面积持续降低,体积分数由26.6%降低到24.5%;XRD图谱上新出现(110)α′和(200)α′相的衍射峰,其含量由0%增加至2.1%.
因此,在拉伸应变为0%~5.0%过程中,记忆合金发生了γ→ε马氏体相变,并在拉伸应变量为5.0%时,ε马氏体相含量达到最大值;当拉伸应变为5.0%~7.0%过程中,ε马氏体相含量没有继续增加,仅应变诱发不可逆的γ→α′马氏体相变.
0%~7.0%拉伸应变过程中,通过动态电阻测量系统及

图6 Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金应变-电阻率关系曲线
Fig.6 Strain‑resistivity curve of Fe17Mn5Si0Cr5Ni
(1)第1阶段的拉伸应变范围为0%~0.2%,为合金试样的弹性变形阶段.该阶段内试样电阻率有一定程度的增加,但增速相对较慢.这是因为在弹性变形阶段,试样在单向拉应力的作用下,原子间距增大,所产生的点阵畸变对自由电子的定向运动产生阻碍,导致电阻率有一定程度的增加,但增速相对较慢.
(2)第2阶段试样产生塑性变形,其拉伸应变范围为0.2%~3.0%.在这一阶段,电阻率随着应变的增加而增加,且增速相对较快.究其原因在于,试样在拉应力作用下,发生塑性变形产生缺陷和畸变,同时由于该合金在拉应力的作用下产生应力诱发γ→ε马氏体相变,也就是材料晶体间发生了可逆的不全位错运
(3)第3阶段试样的拉伸应变范围是3.0%~5.0%.电阻率随着拉伸应变的增加而增加,但速率与第2阶段相比较缓.分析可知,试样在此拉伸应变范围内仍继续发生塑性变形,产生了缺陷和畸变.同时也继续产生应力诱发γ→ε马氏体相变,但由于位错的增多,马氏体相变阻力增加,降低了γ→ε马氏体相变的速率,马氏体的生成量明显小于第2阶段的生成量.所以虽然试样电阻率随着拉伸应变率的增加而增加,但增速与第2阶段相比变缓.
(4)第4阶段内试样与第2、3阶段类似,也发生了塑性变形,其拉伸应变范围为5.0%~7.0%.该阶段同样产生缺陷和畸变,但不同的是,由于第2、3阶段产生的马氏体交叉作用,阻碍了应力诱发γ→ε马氏体继续生成.因此,该阶段电阻率的增加仅是由缺陷和畸变而造成的.值得注意的是,在该阶段出现α′马氏体.由于α′马氏体相变不具有可逆性,并且还会影响应力诱发γ→ε马氏体的逆相变.本文将其归入拉伸应变所造成的缺陷,在后续的加热恢复试验中亦不选取有α′马氏体的试样.由于该阶段产生了α′马氏体,其缺陷比第1阶段多,故电阻率增速仍然稍大于第1阶段.
试样拉伸应变较大时,ε马氏体含量较高,便于研究分析.鉴于α′马氏体相具有不可逆性,且会阻碍应力诱发γ→ε马氏体的逆相变,故选定5.0%拉伸应变的Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样进行加热-冷却试验,并分析该过程中其电阻率变化规律.
通过测得5.0%拉伸应变的Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样加热至不同温度并冷却至室温(23 ℃)的XRD图谱及显微组织,分析加热恢复(热诱发γ→ε马氏体逆相变)过程中合金试样的物相组成.

图7 Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金不同温度的XRD图谱
Fig.7 XRD patterns of Fe17Mn5Si10Cr5Ni under different temperatures
试样在加热至250、350 ℃并冷却至室温后,测得的XRD图谱相同,均由单一γ相组成,说明γ→ε马氏体逆相变发生在100~250 ℃升温过程中,而250~350 ℃升温过程中,没有γ→ε马氏体逆相变产生.
为进一步分析Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样加热过程中的相变,分别测得加热至100、250 ℃并冷却至室温试样的微观组织,如

图8 Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金加热至100、250 ℃后的显微组织
Fig.8 Microstructure of Fe17Mn5Si10Cr5Ni after heating to 100 ℃ and 250 ℃
为分析加热过程中Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样的电阻率特性.将预变形量为5%的试样置于加热炉内,以2 ℃/min的速率加热,利用QJ57型直流电阻测量加热过程(室温至350 ℃)以及冷却过程中合金试样的电阻.由

图9 Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金加热-冷却过程中的温度-电阻率关系曲线
Fig.9 Temperature‑resistivity curve of Fe17Mn5Si10Cr5Ni in heating‑cooling process
(1)第1阶段:从室温加热至100 ℃过程中,温度升高导致自由电子的不规则热运动加剧,这种热运动对自由电子的定向运动起阻碍作用,导致试样电阻率增
(2)第2阶段:加热温度从100 ℃升温至250 ℃过程中,热能驱动试样产生γ→ε马氏体逆相变,拉伸应变所造成的位错减少,由位错产生的对自由电子定向运动的阻碍作用变弱,总体呈现出电阻率随温度升高的速率变小.
(3)第3阶段:合金试样从250 ℃升温至350 ℃过程中,记忆合金内部组织均为γ相,无相变产生,γ相也没有发生形核、长大,因而温度升高对试样电阻率的影响等同于第1阶段,分子热运动导致电阻率随温度升高而线性增加,变化率与第1阶段类似.
(4)第4阶段:合金试样从350 ℃降温至室温,整个过程中合金组织均为γ相,无相变产生,试样自由电子的不规则热运动减弱,因而电阻率减小.
(1)在应变量为0%~7.0%的拉伸过程中,Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样电阻率随着应变的增大而增大,依次产生弹性应变(0%~0.2%)、塑性应变与γ→ε马氏体相变(0.2%~5.0%)和γ→α′马氏体相变(5.0%~7.0%),试样电阻率与应变量及ε马氏体含量成正相关关系.
(2)在自室温加热至350 ℃的过程中,5.0%拉伸应变的Fe17Mn5Si10Cr5Ni合金试样在100~250 ℃产生γ→ε马氏体逆相变,由γ+ε马氏体混合相转变为单一γ相,合金试样电阻率与温度成正相关变化.在发生γ→ε马氏体逆相变的过程中,电阻率的增大速率由于位错的减少而变小,当γ→ε马氏体逆相变完成后,电阻率又与温度成正相关变化.
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