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掺杂与热处理温度对VO2薄膜性能的影响
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TQ171

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中国洛阳浮法玻璃集团有限责任公司科技发展基金资助项目


Property of VO2 Thin Film Affected by Doping and Treatment Temperature
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    应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,450℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜,其相变温度大约都在65℃,其中400℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜表现出明显的电阻突变现象;在VO2薄膜中掺入W6 ,Mo6 ,Cu2 (原子比均为2%),VO2薄膜的相变温度得到有效降低,但是掺杂会使VO2薄膜的光学透过性降低.

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引用本文

吴卫和,王德平,黄文旵,秦建中.掺杂与热处理温度对VO2薄膜性能的影响[J].建筑材料学报,2006,(5):548-554

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  • 最后修改日期:2005-10-20
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