以熔凝法在单晶硅片上制备出ＰｂＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２厚膜玻璃后，运用栅控恒压电晕充电技术向其中成功注入电荷，并获得与栅压值接近（约８５％）的初始表面电位。室温状态下观察发现，样品体内的电荷衰减速率十分缓慢，其２７０ｄ后的衰减幅度不到５％。ＴＳＤ（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ，热刺激放电）实验显示，只有将样品加热到２９０℃时，其体内俘获的电荷才会被大量释放出来。所有这一切均表明，ＰｂＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２系玻璃是一种能够贮存电荷并产生无源空间电场的特殊材料。